מספר מוצר של יצרן:
IPD13N03LA G
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPD13N03LA G-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 25V 30A TO252-3
תיאור מפורט:
N-Channel 25 V 30A (Tc) 46W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
מלאי:
12800295
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPD13N03LA G מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
OptiMOS™
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
25 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
30A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
12.8mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2V @ 20µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
8.3 nC @ 5 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1043 pF @ 15 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
46W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO252-3-11
חבילה / מארז
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
מספר מוצר בסיסי
IPD13N
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
IPD13N03LAINCT
IPD13N03LAGINCT-NDR
IPD13N03LAG
IPD13N03LAGINCT
IPD13N03LAGBUMA1
IPD13N03LAGXT
SP000017537
IPD13N03LAGXTINCT
IPD13N03LAINCT-DG
IPD13N03LAINTR
IPD13N03LAGINTR-NDR
IPD13N03LA
IPD13N03LAGXTINTR-DG
IPD13N03LAINTR-DG
IPD13N03LAGXTINTR
IPD13N03LAGINTR
IPD13N03LAGXTINCT-DG
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IPD135N03LGATMA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
31780
DiGi מספר חלק
IPD135N03LGATMA1-DG
מחיר ליחידה
0.26
סוג משאב
Direct
מספר חלק
IPF13N03LA G
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
468
DiGi מספר חלק
IPF13N03LA G-DG
מחיר ליחידה
0.34
סוג משאב
Parametric Equivalent
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IPB025N10N3GE8187ATMA1
MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
IPD60R1K4C6
MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3
IPC60R180P7X7SA1
MOSFET N-CH DIE
